壓阻式傳感器歷史
 

　　1954年，史密斯(C.S.Smith)發(fā)現了硅與鍺的壓阻效應，即當有外力作用于半導體材料時(shí)，其電阻將明顯發(fā)生變化。
 

　　1960-1970年，硅擴散技術(shù)快速發(fā)展，技術(shù)人員在硅晶面選擇合適的晶向直接把應變電阻擴散在晶面上，然后在背面加工成凹形，形成較薄的硅彈性膜片，稱(chēng)為硅杯。
 

　　1970-1980年，硅杯擴散理論的基礎上應用了硅的各向異性的腐蝕技術(shù)，擴散硅傳感器其加工工藝以硅的各項異性腐蝕技術(shù)為主，發(fā)展成為可以自動(dòng)控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術(shù)
 

　　隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展，現在可以通過(guò)微機械加工工藝制作由計算機控制加工出結構型的壓力傳感器，其線(xiàn)度可以控制在微米級范圍內。利用這一技術(shù)可以加工、蝕刻微米級的溝、條、膜，使得壓力傳感器進(jìn)入了微米階段。
 

　　壓阻式傳感器原理
 

　　圖是基本的惠斯通電橋，圖中電橋輸出Vo是Vo+和Vo-之間的差分電壓。使用傳感器時(shí)，隨著(zhù)壓力的變化，根據壓阻效應，一個(gè)或多個(gè)電阻的阻值會(huì )發(fā)生改變。阻值的改變會(huì )引起輸出電壓的變化。
 

激勵電源一般為 恒流源或者恒壓源
 

　　上海朝輝擁有25年傳感器核心技術(shù)的研發(fā)與生產(chǎn)，為中國、美國、中東、意大利等國家的傳感器提供差壓芯體、擴散硅芯體、微熔芯體等核心部件，并與客戶(hù)共同分享行業(yè)應用的經(jīng)驗數據，在技術(shù)與價(jià)格上具備較高競爭力。
 

01
 

　　單晶硅芯體：
 

　　熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(cháng)成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。由于其內部結構的均勻性，單晶硅在力學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能上表現優(yōu)越。zhyq單晶硅壓力芯體具有精度高、穩定性好等特點(diǎn)
 

02
 

　　擴散硅芯體：
 

　　傳統的的硅半導體材質(zhì)，在多晶硅上使用微機械加工技術(shù)雕刻而成。技術(shù)成熟，工藝穩定，在精度上無(wú)法無(wú)單晶硅媲美，但是在成本、通用性、以及性?xún)r(jià)比上具有獨特的優(yōu)勢。
 

03
 

　　玻璃微熔芯體：
 

　　美國加州理工學(xué)院在1965年研發(fā)的新型技術(shù)，腔體背面由高溫玻璃粉燒結17-4PH低碳鋼，腔體由17-4PH不銹鋼翻出，適用于高壓過(guò)載，能有效抵抗瞬間壓力沖擊。含有少量雜質(zhì)的流體介質(zhì)，無(wú)需充油和隔離膜片即可測量;不銹鋼結構，無(wú)“O”型密封圈，無(wú)溫度釋放隱患。它可以在高壓下測量600MPa(6000bar)，最高精度為0.075%。
 

　　但是玻璃微熔傳感器小量程的測量比較困難，一般測量范圍在500kPa以上。
 

　　基于MEMS(微機電系統)技術(shù)的壓力傳感器是由微/納惠斯通電橋制成的硅應變計。具有輸出靈敏度高、性能穩定、批量可靠、重復性好的優(yōu)點(diǎn)。
 

　　上海朝輝壓力儀器有限公司——集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體化的綜合性高新科技企業(yè)。感謝您的關(guān)注和支持，歡迎聯(lián)系咨詢(xún)更多產(chǎn)品詳情。